高精度 cc/cv原边反馈控制芯片 概述 pn8323包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率 mosfet,于高性能、外围元器件精简的电路。 pn8323 工作在原边检测和调整模式，可省略光耦和 tl431。该芯片提供了极为全面的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、 过压保护、开环保护、过温保护和短路保护等。内置高压启动电路和极低的芯片功耗使得能够满足较高的待机功耗标准。 在恒流模式，电流和输出功率可通过 cs脚的 rs电阻进行调节； pfm工作模式可获得较高的性能和效率。另外，输出线 补偿功能有助于获得较好的负载调整率。 特征 ■ 内置 600v功率 mosfet ■ 全电压输入范围 ±5% 的电流调整率 ■ 原边反馈和调节可省光耦和 tl431 ■ 恒压和恒流可调 ■ 输出线补偿功能 ■ 内置原边电感量补偿电路 ■ 内置高压启动电路 应用领域 ■ led照明 ■ 开关电源适配器和电池充电器 ■ 个人电脑、电视的辅助电源 ■ 线性电源调节器或者 rcc方案替代 封装 /订购信息 sop8 ■ 优异全面的保护功能 ? 过温保护 (otp) ? vdd欠压锁定 (uvlo) cs vdd fb comp sw sw gnd gnd ? 逐周期过流保护 (ocp) ? 开环保护 (olp) ? vdd过压保护 (ovp) ? 安全自动恢复模式 备注：可持续的大输出功率是在环境温度 75°c时具备足够散热片的 开放式应用情形下测试。 典型应用 管脚定义 表 1. 管脚定义 备注：出于安规考虑， p in 脚 6 好不要被连接 典型功率 表 2. 典型功率 备注 1. 连续输出典型功率是在敞开式 75°c 环境下测试 2. 大输出典型功率是在敞开式 55°c 环境下测试 极限工作范围 v d d 工作电压范围 ……………………………………………………….….-0.3~24v sw 脚高电压……………………………………………………………….…600v fb ， comp 脚工作电压范围 …………………………………………………-0.3~5.5v 结工作温度范围 ………………………………………………………………-40~140℃ 存储温度范围 …………………………………………………………………-55~150℃ 管脚焊接温度 (10秒) ……………………………………………………………260℃ 封装热阻 (sop-8) …………………………………………………………….100℃/w sop8 耗散功率（环境温度 85℃） ……………………………………………..1w esd 能力 (hbm) ……………………………………………………………….2.0kv 大漏极脉冲电流…………………………………………………………………1.0a 电气特性 表 3. 功率部分 (tj =25°c, vcc = 15 v；特殊情况另行说明) 表 4. 控制部分 (tj =25°c, vcc = 15 v；特殊情况另行说明) rev.a.1203 3/7 符号 参数 测试条件 小 典型 大 单位 工作电压部分 vsw_start 漏源启动电压 60 80 100 v vsw = 120 v, vcs = 1v, vdd = 4 v -3 ma idd_ch 启动管充电电流 vsw = 120 v , vcs = 1v, vdd = 4 v after fault. -1 ma vdd 工作电压范围 after turn-on 8 21 v vddovp vdd过压保护电压 21 22.5 24 v vddon vdd启动阈值电压 12 13 14 v vddoff vdd欠压保护阈值电压 vsw = 120 v, vcs = 1v 7.5 8 8.5 v vdd(restart) vdd重新启动阈值电压 vsw = 120 v, vcs = 1v 5.0 5.5 6.0 v 工作电流部分 idd0 静态工作时芯片电流 vcs= 1 v, vdd = 10 v 0.2 0.4 ma idd1 开关工作时芯片电流 vcs= 0.6 v, vdd = 15 v 0.5 1.0 ma 表 5. 控制部分(tj =25°c, vcc = 15 v；特殊情况另行说明) rev.a .1203 4/7 符号 参数 测试条件 小 典型 大 单位 电流检测部分 tleb 前沿消隐时间 350 450 550 ns vth_oc 过流检测阈值电压 485 500 515 mv fb部分 vref 反馈基准电压 1.98 2 2.02 v tpause_min 小关断时间 2 us tpause_max 大关断时间 10 12 14 ms c o m p部分 icomp_cable 大线补偿电流 vdd =15 v, vcs =1 v ,vvc=0v,tj = 25 °c 35 38 41 ua 过温保护部分 tsd 过温保护温度 140 160 °c thyst 过温保护回差 30 °c 功能描述 1. 启动 在启动阶段，内部高压电流源为内部偏置电路供电并给外部 v d d电容充电。当 v d d电压达到 1 3 v，芯 片开始工作的同时高压启动电路关断；只要 v d d电压高于 8 v，芯片维持正常工作。启动后，偏置电路通过 辅助源供电。当高压电流源开启，给 v d d电容充电的电流是 3 m a。如果芯片检测到异常，芯片进入到自动 恢复模式，此时充电电流是 1 m a。 2. cc工作模式 在 c c工作状态， p n 8 3 2 3采样 f b引脚的信号（由辅助绕组信号通过电阻分压），辅助绕组信号脉宽决定 振荡频率。输出电压越高，脉宽越小，同时振荡频率越高，这样可获得恒定的输出电流。 3. cv工作模式 在 c v工作状态， p n 8 3 2 3采样 f b引脚的信号（由辅助绕组信号通过电阻分压），辅助绕组电压决定振荡 频率。 在重载模式，输出电流减小，振荡频率减小；在空载载芯片进入跳周期模式，进一步较小待机损耗。 4. 电流检测和前沿消隐 p n 8 3 2 3提供逐周期检测功能。功率管电流通过 c s引脚的电阻检测， c c模式设置点和大输出功率都通 过外部调整 c s引脚上的电阻实现。功率管开通瞬间会产生尖峰电压，内部前沿消隐电路可防止误触发而不 需要额外的 r c滤波电路。 rev.a .1203 5/ 5. 可编程线缆补偿功能 线缆补偿模块可以使输出线损压降得到补偿。当负载从满载减小到空载时，线损压降也同样减小。在空 载，减小 c v设置点，而满载时提高 c v设置点；该设置点可通过 c o m p引脚的电阻进行调整。如果此功能不 需要，可将 c o m p引脚短接到地。 6. 保护控制 p n 8 3 2 3拥有几种自保护功能，如过压保护、过温报告、开环保护、输出短路保护、 c s电阻短路保护和 v d d欠压锁定保护功能，且所有的保护是可自恢复模式。